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J-GLOBAL ID：201603009945809645

微細パターン形成方法、現像液

Inventor： 藤川 茂紀 ,  早川 晴美 ,  先崎 尊博 ,  宮城 賢
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人理化学研究所 ,  東京応化工業株式会社
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012145474
Publication number (International publication number)：2014011245
Patent number：6020991
Application date： Jun. 28, 2012
Publication date： Jan. 20, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を基板上に形成した後、当該層を加熱し、当該層を相分離させる相分離工程と、 前記層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相の少なくとも一部を分解する分解工程と、 前記層を現像液に浸漬させ、前記分解工程において分解されたブロックを含む相を選択的に除去し、ナノ構造体を形成する選択的除去工程と、 前記ナノ構造体をマスクとして基板のエッチングを行うエッチング工程と、 を有し、 前記現像液が、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、アニソール、及びクロロベンゼンからなる群より選択される1種以上を主成分とし、さらに、テトラエトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス(3-トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、及び3-ウレイドプロピルトリメトキシシランからなる群より選択される金属アルコキシドを含有することを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  B29C 33/38 ( 200 6.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 21/30 502 D ,  B29C 33/38 ,  B82Y 40/00 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/302 105 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特表昭63-502780
  
• 反応現像画像形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-035508   Applicant：国立大学法人横浜国立大学
• パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-169279   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 反応現像画像形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-035508   Applicant：国立大学法人横浜国立大学
• パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-169279   Applicant：株式会社東芝
• 特表昭63-502780