Pat
J-GLOBAL ID：200903079396212197

反応現像画像形成法

Inventor：
大山 俊幸

About 大山 俊幸

, 
友井 正男

About 友井 正男


Applicant, Patent owner：
国立大学法人横浜国立大学

About 国立大学法人横浜国立大学


Agent (2)： 下田 昭 ,  赤尾 謙一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005035508
Publication number (International publication number)：2006221019
Application date： Feb. 14, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：
【課題】 側鎖にカルボニル基を有するポリマーを用い、これに紫外線を照射し、金属アルコキシドと極性溶媒から成る現像液を用いて1段階で現像してフォトレジストを形成する新規な「反応現像画像形成法」を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液が下式 MO-R-X(式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Rはアルキレン基、Xは1級アミノ基、2級アミノ基又は3級アミノ基を表す。)で表される金属アルコキシドと極性溶媒を含む反応現像画像形成法である。この反応現像画像形成法により形成されたフォトレジスト層を有する基板は、ミクロ電子工学及びオプトエレクトロニクス回路や部品に利用することができる。 【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液が下式 MO-R-X (式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Rはアルキレン基、Xは1級アミノ基、2級アミノ基又は3級アミノ基を表す。)で表される金属アルコキシドと極性溶媒を含む反応現像画像形成法。
IPC (4)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F7/32 ,  G03F7/004 503Z ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 569E
F-Term (16)：
2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096GA03 ,  2H096GA05 ,  5F046LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
  • 特開昭64-035434
  • 特開昭63-124047
  • 反応現像画像形成法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-375137   Applicant：よこはまティーエルオー株式会社
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM