導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネル

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Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011050268
Publication number (International publication number)：2012184151
Patent number：5864872
Application date： Mar. 08, 2011
Publication date： Sep. 27, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板と、前記基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが4.5〜5.0オングストロームの範囲であり、結晶構造としてルチル構造を有する固溶体を含み、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、(001)配向を有する酸化スズ系透明導電体の結晶を含む導電層とを備え、前記固溶体の組成として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも2つが用いられることを特徴とする導電体基板。

IPC (5)：

C03C 17/34 ( 200 6.01) , H01B 5/14 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01) , C23C 14/08 ( 200 6.01) , C01G 19/02 ( 200 6.01)

FI (5)：

C03C 17/34 Z , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B , C23C 14/08 D , C01G 19/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-077252 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
錫・白金複酸化物およびその製造方法、錫・タングステン複酸化物およびその製造方法、並びに錫・レニューム複酸化物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-189143 Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
特開昭61-227946

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