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J-GLOBAL ID：201603010815902137

導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネル

Inventor： 中尾 祥一郎 ,  山田 直臣 ,  廣瀬 靖 ,  長谷川 哲也
Applicant, Patent owner： 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011050268
Publication number (International publication number)：2012184151
Patent number：5864872
Application date： Mar. 08, 2011
Publication date： Sep. 27, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、 前記基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが4.5〜5.0オングストロームの範囲であり、結晶構造としてルチル構造を有する固溶体を含み、結晶成長を制御するシード層と、 前記シード層上に設けられ、(001)配向を有する酸化スズ系透明導電体の結晶を含む導電層と を備え、前記固溶体の組成として、TiO2、NbO2、MgF2及びSnO2のうち少なくとも2つが用いられることを特徴とする導電体基板。

IPC (5)：

C03C 17/34 ( 200 6.01) ,  H01B 5/14 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C01G 19/02 ( 200 6.01)

FI (5)：

C03C 17/34 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 D ,  C01G 19/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-077252   Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 錫・白金複酸化物およびその製造方法、錫・タングステン複酸化物およびその製造方法、並びに錫・レニューム複酸化物およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-189143   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 特開昭61-227946
  
• 透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-319620   Applicant：東洋メタライジング株式会社

Cited by examiner (4)

• 導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-077252   Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 錫・白金複酸化物およびその製造方法、錫・タングステン複酸化物およびその製造方法、並びに錫・レニューム複酸化物およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-189143   Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
• 特開昭61-227946
  
• 透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-319620   Applicant：東洋メタライジング株式会社