導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009077252
Publication number (International publication number)：2010231972
Application date： Mar. 26, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：

【課題】低コストで形成可能であると共に低抵抗の導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備えることを特徴とする導電体基板。

IPC (13)：

H01B 5/14 , G09F 9/30 , H01B 13/00 , C01G 19/02 , C01G 23/04 , C01G 35/00 , C01G 33/00 , C01F 5/28 , C03C 17/34 , B32B 15/04 , H01J 9/02 , H01J 11/02 , G02F 1/134

FI (14)：

H01B5/14 A , G09F9/30 310 , H01B13/00 503B , C01G19/02 C , C01G23/04 C , C01G35/00 C , C01G33/00 A , C01F5/28 , C03C17/34 Z , B32B15/04 Z , H01J9/02 F , H01J11/02 B , G09F9/30 330Z , G02F1/1343

F-Term (68)：

2H092HA03 , 2H092KB12 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 4F100AA21B , 4F100AA28C , 4F100AB40B , 4F100AG00A , 4F100AR00A , 4F100AR00B , 4F100AR00C , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100CA30B , 4F100GB41 , 4F100JA12A , 4F100JG01C , 4F100JG04 , 4G047CA02 , 4G047CA07 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G048AA03 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G059AA08 , 4G059AB03 , 4G059AC14 , 4G059EA02 , 4G059EA04 , 4G059EB01 , 4G059EB04 , 4G076AA05 , 4G076AB04 , 4G076BA04 , 4G076BG05 , 4G076CA10 , 4G076DA04 , 5C027AA02 , 5C040GC06 , 5C040GC18 , 5C040GC19 , 5C040MA26 , 5C094AA21 , 5C094AA44 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094EB10 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭61-227946
特開昭63-301415
結晶性薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-162059 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

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