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J-GLOBAL ID：201603011224903360

スフェロイド作製装置およびスフェロイド作製方法

Inventor： 秋山 佳丈 ,  森島 圭祐
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人信州大学
Agent (1)： 前井 宏之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010210876
Publication number (International publication number)：2012065555
Patent number：5889523
Application date： Sep. 21, 2010
Publication date： Apr. 05, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 培養液の磁化率を増大させ得る磁化率増大化合物を含有する培養液中で細胞が培養される培養容器と、 磁場勾配を有する磁場を前記培養容器に印加する磁場印加手段と、 を備え、 前記磁化率の増大により、前記細胞が相対的に反磁性を有するようになる、スフェロイド作製装置。

IPC (4)：

C12M 1/42 ( 200 6.01) ,  C12N 5/071 ( 201 0.01) ,  C12M 1/00 ( 200 6.01) ,  C12M 3/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C12M 1/42 ,  C12N 5/071 ,  C12M 1/00 A ,  C12M 3/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• がん細胞挙動評価モデル及びその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-286173   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 磁場モジュレータを使用する生物学的種の操作
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-544406   Applicant：エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ