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J-GLOBAL ID:201603011639355155

成膜装置および成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015023488
Publication number (International publication number):2016146442
Application date: Feb. 09, 2015
Publication date: Aug. 12, 2016
Summary:
【課題】成膜レートに優れ、ミストCVD法が適用可能な成膜装置を提供する。【解決手段】原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって基体まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備えている成膜装置であって、成膜部が、円筒状であり、成膜部の側面に、前記ミストまたは前記液滴の搬入口が設けられていて、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させるように構成されており、成膜部上面に排気口を有している。【選択図】図1
Claim (excerpt):
原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって基体まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備える成膜装置において、 成膜部が、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させる手段を具備することを特徴とする成膜装置。
IPC (3):
H01L 21/365 ,  C23C 16/448 ,  C30B 25/14
FI (3):
H01L21/365 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14
F-Term (63):
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077EC01 ,  4G077EG03 ,  4G077EG16 ,  4G077EG21 ,  4G077EG24 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC01 ,  4G077TC04 ,  4G077TE01 ,  4G077TE05 ,  4G077TF02 ,  4G077TG01 ,  4G077TH02 ,  4G077TH06 ,  4G077TH07 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA49 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AD09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EE02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF20 ,  5F045GB11 ,  5F045GB13 ,  5F045GB19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 薄膜形成方法及び装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-179978   Applicant:太陽誘電株式会社
  • 特開平3-281781
  • 特開平3-105914
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