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J-GLOBAL ID：201603016317452475

3層構造、これを用いた5層磁気トンネル接合素子、及び磁気メモリ装置

Inventor： 中川 茂樹 ,  史 蹟 ,  高村 陽太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (1)： 五十嵐 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014188742
Publication number (International publication number)：2016063024
Application date： Sep. 17, 2014
Publication date： Apr. 25, 2016
Summary：

【課題】ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調できる3層構造を提供すること。【解決手段】フリー層としての金属強磁性体層1、トンネル障壁層2及びピン層としてのハーフメタル強磁性体層3は、3層磁気トンネル接合(MTJ)構造S1を構成する。3層MTJ構造S1のハーフメタル強磁性体層3側には絶縁層4及び導電層5が接合され、ハーフメタル強磁性体層3のスピン分極率を変調する。ハーフメタル強磁性体層3、絶縁層4及び導電層5は3層構造S2を構成する。ハーフメタル強磁性体層3を共通とする3層MTJ構造S1及び3層構造S2は5層MTJ素子S3を構成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

ハーフメタル強磁性体層と、 前記ハーフメタル強磁性体層の下に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の下に設けられた導電層と を具備し、 前記絶縁層中の電界によって前記ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調する3層構造。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (6)：

H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

F-Term (21)：

4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 磁性半導体を用いた円偏光スピン半導体レーザーおよびレーザー光の発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-019409   Applicant：科学技術振興事業団
• 磁気抵抗効果素子、及びそれを備える磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-378954   Applicant：株式会社日立製作所
• スピン電界効果論理素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-004344   Applicant：三星電子株式会社
• スピン注入型磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-087950   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-209986   Applicant：株式会社東芝