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J-GLOBAL ID：201603018323669748

電子デバイスおよび電子デバイスの作製方法

Inventor： 菅 洋志 ,  内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  清水 哲夫 ,  古田 成生 ,  角谷 透 ,  増田 雄一郎 ,  高橋 剛 ,  小野 雅敏
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  船井電機株式会社
Agent (4)： 荒船 博司 ,  荒船 良男 ,  赤澤 高 ,  稲葉 龍治
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011050552
Publication number (International publication number)：2012190840
Patent number：5900872
Application date： Mar. 08, 2011
Publication date： Oct. 04, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた金属細線とを備え、 前記金属細線は、局所的に結晶構造が単結晶である領域を備え、前記領域にナノオーダのギャップが形成されている電子デバイス。

IPC (3)：

H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/06 601 N ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-189380   Applicant：株式会社船井電機新応用技術研究所
• シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-158101   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-189380   Applicant：株式会社船井電機新応用技術研究所
• シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-158101   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所