Pat

J-GLOBAL ID：200903025986918386

スイッチング素子

Inventor： 内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  阿部 秀和 ,  清水 哲夫 ,  水谷 亘 ,  古田 成生 ,  小野 雅敏 ,  高橋 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社船井電機新応用技術研究所
Agent (2)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006189380
Publication number (International publication number)：2007123828
Application date： Jul. 10, 2006
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】構造が極めて単純で、かつ、安定した繰り返しスイッチング動作が可能な、不揮発性スイッチング素子を提供すること。【解決手段】本発明のスイッチング素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30の間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、 前記絶縁性基板の上に設けられた、第1電極と、 前記絶縁性基板の上に設けられた、第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙と、 を含む、スイッチング素子。

IPC (6)：

H01L 21/28 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/10

FI (6)：

H01L21/28 301R ,  B82B1/00 ,  H01L21/285 P ,  H01L29/44 S ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/10 451

F-Term (27)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD77 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF40 ,  4M104GG01 ,  4M104HH20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083ZA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-307669   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-315502   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-412356   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 電極架橋型分子素子の電極製造方法及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-045863   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (4)

• ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-315502   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-307669   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-412356   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 電極架橋型分子素子の電極製造方法及び該方法により製造された電極構造を有する電極架橋型分子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-045863   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所