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J-GLOBAL ID：201603018397839955

Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014160092
Publication number (International publication number)：2016039194
Application date： Aug. 06, 2014
Publication date： Mar. 22, 2016
Summary：

【課題】Ga2O3系単結晶にイオン注入による高抵抗領域を形成するためのGa2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子を提供する。【解決手段】Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法は、Ga2O3系単結晶層11にMg又はBeをイオン注入する工程と、800°C以上のアニール処理によりMg又はBeを活性化して高抵抗領域15を形成する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga2O3系単結晶層にMg又はBeをイオン注入する工程と、 800°C以上のアニール処理により前記Mg又はBeを活性化して高抵抗領域を形成する工程と、 を含むGa2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法。

IPC (10)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  C30B 29/16 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/425 ,  H01L 21/477

FI (13)：

H01L29/86 301P ,  C30B29/16 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L21/76 R ,  H01L21/425 ,  H01L21/477

F-Term (27)：

4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077CF03 ,  4G077EB01 ,  4G077FD02 ,  4G077FE11 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4M104AA03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104HH18 ,  5F032AA28 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032DA52 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-237246   Applicant：古河電気工業株式会社
• イオン注入法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226190   Applicant：株式会社東芝