窒化物半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：酒井宏明 , 田代至男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012237246
Publication number (International publication number)：2014086698
Application date： Oct. 26, 2012
Publication date： May. 12, 2014
Summary：

【課題】III族窒化物半導体において、p型ドーパントを効率良くドーピングでき、高いアクセプタ濃度を実現して高いホール濃度を実現すること。【解決手段】Si基板やサファイア基板上に、エピタクシャル成長およびイオン注入法の少なくとも一方を用いて形成された少なくとも1層以上のp型導電性を有するIII族窒化物半導体層を形成する。III族窒化物半導体層を形成する際に、p型ドーパントのMgと同時に、III族元素置換の形成エネルギーがMgより高いZn、Li、Au、Ag、Cu、Pt、およびPdから選択された少なくとも1種類の金属元素をドープし、格子間位置に導入させる。Mgのアクセプタとしての活性化以降、III族窒化物半導体層から金属元素を除去し、金属元素の濃度をMgの濃度の1/100以下にし、1018〜1019cm-3以上のホール濃度を実現する。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された少なくとも1層以上のp型導電性を有するIII族窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置の製造方法であって、前記p型導電性を有するIII族窒化物半導体層を、p型ドーパントのマグネシウムとIII族元素置換の形成エネルギーが前記マグネシウムよりも高い金属元素とを同時にドープして、前記III族窒化物半導体層における格子間位置に前記金属元素を導入させて形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 21/20 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/205 , H01L 33/32

FI (6)：

H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L29/91 F , H01L29/78 301B , H01L21/205 , H01L33/00 186

F-Term (75)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR07 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT08 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F140BA06 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BG42 , 5F140BH15 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F141AA24 , 5F141CA40 , 5F141CA46 , 5F141CA49 , 5F141CA53 , 5F141CA57 , 5F141CA58 , 5F141CA65 , 5F141CA73 , 5F141CA99 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN12 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM16 , 5F152NN03 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN17 , 5F152NN29 , 5F152NP14 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-351714 Applicant：昭和電工株式会社
ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-543541 Applicant：クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-227835 Applicant：松下電器産業株式会社

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