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J-GLOBAL ID：201603018496046622

半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015060767
Publication number (International publication number)：2015146444
Patent number：6023836
Application date： Mar. 24, 2015
Publication date： Aug. 13, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜上の側壁絶縁層と、 前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極層と、 前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたドレイン電極層と、を有し、 前記ソース電極層は、前記側壁絶縁層に接する領域を有し、 前記ドレイン電極層は、前記側壁絶縁層に接する領域を有し、 前記側壁絶縁層は、酸素が添加された領域を有する半導体装置の作製方法であって、 前記ゲート電極をマスクとして前記酸化物半導体膜にタングステンを添加した後、前記側壁絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (16)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01)

FI (14)：

H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 381

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-277272   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-295899   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-152754   Applicant：ソニー株式会社