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J-GLOBAL ID：201203043531181524

薄膜トランジスタおよび表示装置

Inventor： 諸沢 成浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (4)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010152754
Publication number (International publication number)：2012015436
Application date： Jul. 05, 2010
Publication date： Jan. 19, 2012
Summary：

【課題】層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜20に接して、有機樹脂膜51を含む層間絶縁膜50を設ける。層間絶縁膜50の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜30およびゲート電極40の段差を確実に被覆し、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜50に起因する不良を抑える。層間絶縁膜50は、有機樹脂膜51および第1無機絶縁膜52の積層構造を有していることが好ましい。酸素や水分などに対するバリア性の高い第1無機絶縁膜51により、酸化物半導体膜20への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ1の信頼性を向上させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、 前記ゲート電極に対向してチャネル領域を有すると共に前記チャネル領域の一方の側にソース領域、他方の側にドレイン領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜に接して設けられると共に接続孔を有し、有機樹脂膜を含む層間絶縁膜と、 前記接続孔を介して前記ソース領域および前記ドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極と を備えた薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50

FI (7)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A

F-Term (76)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107HH04 ,  5F110AA02 ,  5F110AA26 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK08 ,  5F110HK26 ,  5F110HK31 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F152AA08 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE26 ,  5F152CE28 ,  5F152FF21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-211223   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法、半導体装置及びその作製方法、並びに絶縁膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-136709   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-251914   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-217273   Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-038427   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社