薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：木村満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006295899
Publication number (International publication number)：2008112909
Application date： Oct. 31, 2006
Publication date： May. 15, 2008
Summary：

【課題】良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜半導体装置10は、半導体膜13、ゲート絶縁膜18、ゲート電極21まではパターンなどを設けないで平坦なまま形成され、さらに半導体層13、ゲート絶縁膜18の下層には段差を生じさせる層が形成されていない。従って、ゲート絶縁膜18に、亀裂等が生じず、ゲートリーク電流を抑制させることができ、良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置10を提供することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層は、段差が生じないよう平坦に形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 616A , H01L29/78 618B

F-Term (51)：

5F110AA06 , 5F110AA12 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ10 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機EL表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-234443 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

特開平4-226080
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-045792 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-230168 Applicant：シャープ株式会社

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