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J-GLOBAL ID：201603018625886039

電子装置及び電子装置の製造方法

Inventor：
實宝 秀幸

About 實宝 秀幸


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015002400
Publication number (International publication number)：2016127238
Application date： Jan. 08, 2015
Publication date： Jul. 11, 2016
Summary：
【課題】グラフェンとそれに接続される金属との間の接触抵抗の増大を抑えた電子装置を実現する。【解決手段】トランジスタ1は、グラフェン4の端部4a及び端部4bに点在する、炭素原子が欠損した孔4cを含む。グラフェン4の、孔4cが形成された端部4a及び端部4bにそれぞれ、金属を用いたソース電極5a及びドレイン電極5bが接続される。孔4cを設けることで、エッジ位置の炭素原子の個数を増大させて、グラフェン4のフェルミ準位付近の状態密度を増大させ、その状態密度と反比例の関係にある、グラフェン4とソース電極5a及びドレイン電極5bとの間の接触抵抗を低減する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
グラフェンと、 前記グラフェンの第1部分に点在し、炭素原子が欠損した少なくとも1つの第1孔と、 前記第1部分に接続された第1金属と を含むことを特徴とする電子装置。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  C01B 31/02
FI (9)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  C01B31/02 101Z
F-Term (51)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146CB15 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD36 ,  4M104DD63 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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