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J-GLOBAL ID：201603018728311824

半導体圧力センサ

Inventor： 新村 雄一 ,  西川 英男 ,  加藤 史仁
Applicant, Patent owner： パナソニックIPマネジメント株式会社
Agent (4)： 伊藤 正和 ,  細川 覚 ,  松本 隆芳 ,  森 太士
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015090063
Publication number (International publication number)：2015143713
Patent number：5866496
Application date： Apr. 27, 2015
Publication date： Aug. 06, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板の一部であって、前記半導体基板が薄肉化されたダイヤフラム部と、 第1,第2,第3,第4の検出部と、 を備える半導体圧力センサにおいて、 前記第1,第2,第3,第4の検出部はそれぞれ、 第1の端と、 第2の端と、 前記第1の端から第1の方向に延びる第1の部分と、 前記第1の部分から前記第1の方向と垂直な第2の方向に延びる第2の部分と、 前記第2の部分から前記第1の方向に延び、前記第1の部分と前記第2の方向に対向する部分を有する第3の部分と、 前記第3の部分から前記第2の方向に延び、前記第2の部分と前記第1の方向に対向する部分を有する第4の部分と、 前記第4の部分から前記第2の端まで前記第1の方向に延び、前記第1の部分と前記第2の方向に対向する部分を含む第5の部分と、 を有し、 前記ダイヤフラム部の上面視において、前記第2の部分は前記第4の部分より幅の広い部分を有し、 前記幅の広い部分は前記第1の部分に接続する半導体圧力センサ。

IPC (1)：

G01L 9/00 ( 200 6.01)

FI (1)：

G01L 9/00 303 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-153750   Applicant：アルプス電気株式会社
• 圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-165515   Applicant：株式会社ユニシアジェックス
• 半導体圧力センサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240625   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-153750   Applicant：アルプス電気株式会社
• 圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-165515   Applicant：株式会社ユニシアジェックス
• 半導体圧力センサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240625   Applicant：三菱電機株式会社