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J-GLOBAL ID：200903080260696261

半導体圧力センサ

Inventor：
久保 雅裕

About 久保 雅裕

, 
福田 哲也

About 福田 哲也


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 三浦 邦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008153750
Publication number (International publication number)：2009300197
Application date： Jun. 12, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：
【課題】ダイヤフラムと感応抵抗素子との相対位置ずれによる影響が小さい半導体圧力センサを得る。【解決手段】シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子を直列に接続し、圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子を一方向に平行に形成し、上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子を、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成した。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、 各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子が直列に接続され、 圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子は一方向に平行に形成されていて、 上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子は、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成されていること、を特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (1)：
G01L 9/00
FI (1)：
G01L9/00 303E
F-Term (6)：
2F055AA40 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF11 ,  2F055GG16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (6)
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