半導体記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012105558
Publication number (International publication number)：2013235620
Patent number：5998381
Application date： May. 06, 2012
Publication date： Nov. 21, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】レジスタとコンパレータとモード制御部とを含んで構成される入力制御部と、前記入力制御部に接続される連想メモリブロックと、を含み、前記連想メモリブロックの各ワード回路は、前記入力制御部の第1のサーチラインに接続されるkビットの第1段サブワード回路と、前記入力制御部の第2のサーチラインに接続されるn-kビット(ここで、n-k>kである)の第2段サブワード回路と、前記第1段サブワード回路と前記第2段サブワード回路とを接続するセグメント化回路と、を備え、前記第2段サブワード回路は、分割されたサブ-サブワード回路と、前記サブ-サブワード回路のそれぞれに接続されるローカル一致回路と、前記サブ-サブワード回路全体のグローバル一致回路とからなり、前記サブ-サブワード回路のそれぞれには、前記入力制御部から検索ワードが並列に送出され、前記検索ワードと前記サブ-サブワード回路のそれぞれにおいて記憶されているワードとの一致が前記ローカル一致回路で判定され、前記ローカル一致回路の全ての出力は、前記グローバル一致回路に入力される、半導体記憶装置。

IPC (1)：

G11C 15/04 ( 200 6.01)

FI (1)：

G11C 15/04 631 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-150856 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平2-308499
特開平3-212896

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