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J-GLOBAL ID：201603019774650486

半導体素子及びその製造方法、半導体基板、並びに結晶積層構造体

Inventor： 佐々木 公平 ,  倉又 朗人 ,  東脇 正高
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014152410
Publication number (International publication number)：2016031953
Application date： Jul. 25, 2014
Publication date： Mar. 07, 2016
Summary：

【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa2O3系の半導体素子及びその製造方法、並びにその半導体素子の製造に用いることができる半導体基板及び結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、0.05μm以上かつ50μm以下の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板11と、Ga2O3系結晶からなり、下地基板11上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層12と、を有するショットキーダイオード10を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

0.05μm以上かつ50μm以下の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板と、 Ga2O3系結晶からなり、前記下地基板上にエピタキシャル成長したエピタキシャル層と、 を有する半導体素子。

IPC (13)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812

FI (14)：

H01L21/20 ,  C30B29/16 ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 B

F-Term (85)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG17 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F110AA13 ,  5F110AA23 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16 ,  5F140AA25 ,  5F140AA34 ,  5F140AC23 ,  5F140BA00 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152NN01 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-582844   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041808   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-299632   Applicant：日立電線株式会社
• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-009372   Applicant：富士電機株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-153226   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-097035   Applicant：エルピーダメモリ株式会社