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J-GLOBAL ID：201603020117903437

グラフェンの作製方法

Inventor： 前田 文彦 ,  田邉 真一 ,  日比野 浩樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013035493
Publication number (International publication number)：2014162683
Patent number：5882928
Application date： Feb. 26, 2013
Publication date： Sep. 08, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 SiC基板を加熱して前記SiC基板の表面に6√3×6√3構造の炭素バッファー層を形成する第1工程と、 前記SiC基板を加熱した状態で前記炭素バッファー層が形成されている前記SiC基板の表面に水素を供給し、前記炭素バッファー層と基板側のSiとの結合を切断してグラフェンとし、前記グラフェンと前記SiC基板との間に存在するSiのダングリングボンドを水素で終端する第2工程と、 前記グラフェンを形成した前記SiC基板を真空中で加熱して前記グラフェンの前記基板側に存在する炭化水素を除去する第3工程と を備え、 前記SiC基板の上には前記炭素バッファー層のみが形成され、 前記第3工程では、前記SiC基板を250〜650°Cの範囲のいずれかの温度で加熱することを特徴とするグラフェンの作製方法。

IPC (1)：

C01B 31/02 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 31/02 101 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜の層数を均一化する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-182088   Applicant：日本電信電話株式会社, 国立大学法人九州大学
• グラフェンシートの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-233535   Applicant：国立大学法人福井大学
• グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-207369   Applicant：富士通株式会社