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J-GLOBAL ID：201702210193592692   Reference number：17A0272359

Novel Voltage Controlled MRAM (VCM) with Fast Read/Write Circuits for Ultra Large Last Level Cache

電圧トルクMRAM(VCM)向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用

Author (8)： SHIOTA YOICHI (産業技術総合研 スピントロニクス研究セ) ,  NOGUCHI HIROKI (東芝 研究開発セ) ,  IKEGAMI KAZUTAKA (東芝 研究開発セ) ,  ABE KEIKO (東芝 研究開発セ) ,  FUJITA SHINOBU (東芝 研究開発セ) ,  NOZAKI TAKAYUKI (産業技術総合研 スピントロニクス研究セ) ,  YUASA SHINJI (産業技術総合研 スピントロニクス研究セ) ,  SUZUKI YOSHISHIGE (大阪大 大学院基礎工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 448(SDM2016 130-138)  Page： 21-24  Publication year： Jan. 23, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *cache memory ,  *mass memory ,  *electric circuit ,  *magnetoresistive random access memory ,  magnetization reversal ,  voltage ,  tunnel junction ,  consumed electric power
Semi thesaurus term： *readout circuit ,  pulse voltage ,  MTJ ,  low electric power

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (15)：

• M. T. Chang et al., ′′Technology comparison for large last-level caches (L3Cs): low-leakage SRAM, low write-energy STT-RAM, and refresh-optimized eDRAM,′′ in 19th Int'l Symp. HPCA, pp. 143-154, Feb. 2013.
• F. Hamzaoglu et al., ′′A 1Gb 2GHz embedded DRAM in 22nm tri-gate CMOS technology,′′ in ISSCC Dig. Tech. Papers, pp.230-231, Feb. 2014.
• J. Warnock et al., ′′22 nm next-generation IBM system z microprocessor,′′ in ISSCC Dig. Tech. Papers, pp.70-71, Feb. 2015.
• H. Noguchi, et al., ′′Highly reliable and low-power nonvolatile cache memory with advanced perpendicular STT-MRAM for high-performance CPU,′′ in Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Papers, pp. 97-98, Jun. 2014.
• G. Jan et al., ′′Achieving sub-ns switching of STT-MRAM for future embedded LLC applications through improvement of nucleation and propagation switching mechanisms,′′ in Symp. VLSI Technology Dig. Tech Papers, pp. 18-19, Jun. 2016.

Terms in the title (8)： トルク ,  MRAM ,  VCM ,  読み出し ,  書き込み回路 ,  大容量 ,  キャッシュメモリ ,  応用