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J-GLOBAL ID：201702223825343320   Reference number：17A0550687

8mm角CVDダイヤモンド基板上にホモエピタキシャル成長した試料の電荷キャリア輸送特性

Author (11)： KANEKO JUN'ICHI (北大 大学院) ,  HIRANO SHINTARO (北大 大学院) ,  SHIMAOKA TAKEHIRO (北大 大学院) ,  SHINMYO HIROAKI (北大 大学院) ,  TSUBOTA MASAKATSU (北大 大学院) ,  MIZUKOSHI TSUKASA (北大 大学院) ,  YAMAMOTO KOHEI (北大 大学院) ,  CHAYAHARA AKIYOSHI (産業技術総合研) ,  MOKUNO YOSHIAKI (産業技術総合研) ,  UMEZAWA HITOSHI (産業技術総合研) ,  KOIZUMI HITOSHI (北大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-P9-60  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  epitaxy ,  *plasma CVD ,  membrane and film ,  alpha beam ,  *radiation detector ,  efficiency ,  radiation resistance(radiation effect) ,  environment
Semi thesaurus term： *diamond semiconductor ,  epitaxial growth ,  free standing film ,  alpha beam ,  charge collection efficiency ,  harsh environment

JST classification (3)： Measurement and instruments of radiation in general  (AD08010Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (7)： CVD ,  ダイヤモンド基板 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  試料 ,  電荷キャリア ,  輸送特性