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J-GLOBAL ID：201702238126514962   Reference number：17A1604155

Direct Growth of CdTe on a (211) Si Substrate with Vapor Phase Epitaxy Using a Metallic Cd Source

金属Cd源を用いた気相エピタキシーによる(211)Si基板上のCdTeの直接成長

Author (6)： ISO Kenji (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ISO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  GOKUDAN Yuya (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAISHI Masumi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 46  Issue： 10  Page： 5884-5888  Publication year： Oct. 2017 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *vapor phase growth ,  *wafer ,  *cadmium telluride ,  cadmium compound ,  telluride (chalcogenide) ,  zinc compound ,  *compound semiconductor ,  *semiconductor radiation detector ,  *X-Ray Diffraction ,  Si wafer ,  cadmium zinc telluride ,  *wide band gap semiconductor
Semi thesaurus term： vapor phase epitaxy ,  silicon substrate ,  CdZnTe ,  *wide band-gap semiconductor

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of inorganic compounds in general  (BK07001T) ,  Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Substance index (1)： 2,3-Dimethylbutane

Terms in the title (5)： Cd ,  気相エピタキシー ,  Si基板 ,  CdTe ,  成長