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J-GLOBAL ID：201702248775700834   Reference number：17A1810691

Composition and doping control for metal-organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers

GaAsSbコンタクト層とInGaAsSbグレーデッド層からなるハイブリッドベース構造を有するInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの有機金属化学気相成長のための組成とドーピング制御

Author (7)： HOSHI Takuya (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KASHIO Norihide (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SUGIYAMA Hiroki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KURISHIMA Kenji (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  IDA Minoru (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MATSUZAKI Hideaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 7  Page： 075503.1-075503.5  Publication year： Jul. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： antimonide ,  gallium compound ,  arsenide ,  *contact ,  *indium compound ,  inclined type ,  indium phosphide ,  *HBT ,  *MOCVD ,  doping ,  *electrical resistivity
Semi thesaurus term： GaAsSb ,  *contact ,  double hetero bipolar transistor ,  organic metal chemistry gaseous phase growth method

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Reference (28)：

• X. Mei, W. Yoshida, M. Lange, J. Lee, J. Zhou, P.-H. Liu, K. Leong, A. Zamora, J. Padilla, S. Sarkozy, R. Lai, and W. R. Deal, IEEE Electron Device Lett. 36, 327 (2015).
• V. Jain, J. C. Rode, H.-W. Chiang, A. Baraskar, E. Lobisser, B. J. Thibeault, M. Rodwell, M. Urteaga, D. Loubychev, A. Snyder, Y. Wu, J. M. Fastenau, and W. K. Liu, IEEE 69th Annu. Device Research Conf. (DRC), 2011, p. 271.
• M. Urteaga, R. Pierson, P. Rowell, V. Jain, E. Lobisser, and M. J. W. Rodwell, IEEE 69th Annu. Device Research Conf. (DRC), 2011, p. 281.
• M. Alexandrova, R. Fl?eckiger, R. L?vblom, O. Ostinelli, and C. R. Bolognesi, IEEE Electron Device Lett. 35, 1218 (2014).
• R. Fl?ckiger, R. L?vblom, M. Alexandrova, O. Ostinelli, and C. R. Bolognesi, IEEE Electron Device Lett. 35, 166 (2014).

Terms in the title (8)： GaAsSb ,  コンタクト層 ,  InP ,  ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  有機金属化学 ,  気相成長 ,  組成 ,  ドーピング