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J-GLOBAL ID：201702253090804683   Reference number：17A1220923

Influence of gallium ion beam acceleration voltage on the bend angle of amorphous silicon cantilevers

アモルファスシリコンカンチレバーの曲げ角度に対するガリウムイオンビーム加速電圧の影響

Author (5)： KOZEKI Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  PHAN Hoang-Phuong (Griffith Univ., Qld, AUS) ,  DAO Dzung Viet (Griffith Univ., Qld, AUS) ,  INOUE Shozo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NAMAZU Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 6S1  Page： 06GL02.1-06GL02.5  Publication year： Jun. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous silicon ,  *cantilever beam ,  *angle ,  *ion beam machining ,  metal ion ,  *plastics molding
Semi thesaurus term： cantilever ,  *bending angle ,  gallium ion

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O)

Reference (30)：

• H.-P. Phan, D. V. Dao, K. Nakamura, S. Dimitrijev, and N.-T. Nguyen, J. Microelectromech. Syst. 24, 1663 (2015).
• H.-P. Phan, T. Kozeki, T. Dinh, A. Qamar, Y. Zhu, T. Namazu, N.-T. Nguyen, and D. V. Dao, RSC Adv. 5, 82121 (2015).
• A. A. G. Requicha, Proc. IEEE 91, 1922 (2003).
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• D. Chiba, S. Fukami, K. Shimamura, N. Ishiwata, K. Kobayashi, and T. Ono, Nat. Mater. 10, 853 (2011).

Terms in the title (4)： 曲げ角度 ,  ガリウム ,  イオンビーム ,  加速電圧