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J-GLOBAL ID：201702255509349200   Reference number：17A1220743

Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy

有機金属気相エピタキシによるGaN二極性選択領域成長における界面形成機構の解析

Author (5)： KUZE Kenta (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OSUMI Noriyuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUJITA Yohei (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  INOUE Yoku (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKANO Takayuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 5S  Page： 05FA05.1-05FA05.6  Publication year： May. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,  *gallium nitride ,  *polarity ,  *selective growth ,  *interface (surface) ,  phase matching ,  crystal growth ,  mask ,  *substrate (plate) ,  *pattern formation ,  nitriding ,  aluminum nitride ,  growth rate ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *alumina substrate ,  pseudo phase matching ,  modification
Semi thesaurus term： *organometallic vapor phase epitaxy ,  quasi phase matching

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (36)：

• S. Yoshida and J. Suzuki, Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
• S. Yoshida and H. Ishii, Phys. Status Solidi A 188, 243 (2001).
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).

Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタキシ ,  GaN ,  性選択 ,  領域成長 ,  界面 ,  解析