Art

J-GLOBAL ID：201702262615640944   Reference number：17A1544977

Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications

インバータ応用における次世代IGBTにより導入されたシュート-スルー現象のモデル化【Powered by NICT】

Author (6)： Abe S. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Hasegawa K. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Tsukuda M. (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan) ,  Wada K. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Omura I. (Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Ninomiya T. (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
Material： Microelectronics Reliability  (Microelectronics and Reliability)
Volume： 76-77  Page： 465-469  Publication year： 2017 
JST Material Number： C0530A  ISSN： 0026-2714  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The shoot-through phenomenon h...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1544977&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0530A") }}

Thesaurus term： simplification ,  reliability (property) ,  gate circuit ,  *IGBT ,  inductance ,  *modeling ,  electrostatic capacity ,  consumed electric power ,  threshold voltage ,  high power output ,  modification
Semi thesaurus term： オフ状態 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： インバータ ,  応用 ,  次世代 ,  IGBT ,  シュート ,  現象 ,  モデル化