ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜成長の条件検討

NAKABAYASHI YUJI; YAMADA SATORU; ITO SATOSHI; KAWAE TAKESHI

Art

J-GLOBAL ID：201702275369952589 Reference number：17A1141838

ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga₂O₃薄膜成長の条件検討

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Volume： 78th Page： ROMBUNNO.8a-PA4-26 Publication year： Aug. 25, 2017
JST Material Number： Y0055B ISSN： 2758-4704 Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Semiconductor thin films

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ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga2O3薄膜成長の条件検討

ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga₂O₃薄膜成長の条件検討