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J-GLOBAL ID：201702283942343071   Reference number：17A1138536

金属Cd原料を用いた気相成長法による(211)Si基板上へのCdTe成長

Author (6)： GOKUDAN YUYA (東京農工大 大学院) ,  ISO KENJI (東京農工大 大学院) ,  ISO KENJI (三菱ケミカル) ,  SHIRAISHI MASUMI (東京農工大 大学院) ,  MURAKAMI HISASHI (東京農工大 大学院) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5p-A411-8  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *cadmium telluride ,  *thin film growth ,  semiconductor thin film ,  *vapor phase growth ,  wafer ,  silicon ,  precursor (substance) ,  Cadmium ,  surface quality
Semi thesaurus term： *VPE growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： Cd ,  原料 ,  気相成長 ,  Si基板 ,  CdTe ,  成長