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J-GLOBAL ID：201702287612342157   Reference number：17A0272360

Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density

超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ-(Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM)-

Author (16)： YODA HIROAKI (東芝 研究開発セ) ,  SHIMOMURA NAOHARU (東芝 研究開発セ) ,  OSAWA YUICHI (東芝 研究開発セ) ,  SHIRATORI SATOSHI (東芝 研究開発セ) ,  KATO YUUSHI (東芝 研究開発セ) ,  IGUCHI TOMOE (東芝 研究開発セ) ,  KAMIGUCHI YUZO (東芝 研究開発セ) ,  ALTANSARGAI Buyandalai (東芝 研究開発セ) ,  SAITO YOSHIAKI (東芝 研究開発セ) ,  KOI KATSUHIKO (東芝 研究開発セ) ,  SUGIYAMA HIDEYUKI (東芝 研究開発セ) ,  OIKAWA SOICHI (東芝 研究開発セ) ,  SHIMIZU MARIKO (東芝 研究開発セ) ,  ISHIKAWA MIZUE (東芝 研究開発セ) ,  IKEGAMI KAZUTAKA (東芝 研究開発セ) ,  KUROBE ATSUSHI (東芝 研究開発セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 448(SDM2016 130-138)  Page： 25-28  Publication year： Jan. 23, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *spintronics ,  *Hall effect ,  *voltage control ,  *magnetic anisotropy ,  tunnel effect ,  magnetoresistance effect ,  consumed electric power ,  integration (accumulation) ,  *memory element ,  tunneling magnetoresistance effect
Semi thesaurus term： *spin Hall effect ,  tunneling magnetoresistance effect ,  ultra-low power ,  high integration

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (6)：

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• T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M, Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando, ′′Lower-current and Fast switching of A Perpendicular TMR for High Speed and High density Spin-Transfer-Torque MRAM,′′ IEDM 2008 digest,12-6.
• N. D. Rizzo, D. Houssameddine, J. Janesky, R. Whig, F.B. Mancoff, M. L. Schneider, M. DeHerrera, J.J. Sun, K. Nagel, S. Deshpande, H.-J. Chia, S. M,Alam, T. Andre, S. Aggarwal, and J. M. Slughter, ′′A Fully Functional 64 Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90 nm CMOS Technology,′′ IEEE Trans. Magn., Vol.49, No.7, pp 4441, 2013
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Terms in the title (4)： 消費エネルギー ,  集積 ,  電圧制御 ,  スピントロニクス