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J-GLOBAL ID：201702287931031568   Reference number：17A1138240

三次元アトムプローブを用いたSiO₂/SiC界面窒素の評価

Author (8)： YAMADA KEIICHI (産業技術総合研) ,  YAMADA KEIICHI (東レリサーチセ) ,  FUJIKAKE SHINJI (産業技術総合研) ,  FUJIKAKE SHINJI (富士電機) ,  IWAHASHI YOHEI (産業技術総合研) ,  HARADA SHINSUKE (産業技術総合研) ,  YANO HIROSHI (筑波大) ,  OKUMURA HAJIME (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.5a-A203-3  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *interface (surface) ,  Nitrogen ,  mass spectrum ,  probe ,  *atom-probe FIM ,  *depth profile ,  *MOS structure ,  *silicon dioxide ,  insulating film ,  *nitrogen 15 ,  nitrogen monoxide ,  *nitriding ,  surface level ,  *three-dimensional atom probe ,  atom probe ,  *modification
Semi thesaurus term： atom probe

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Mass spectrometry  (CC03013N)

Terms in the title (6)： 三次元アトムプローブ ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  窒素 ,  評価