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J-GLOBAL ID：201702291357794095   Reference number：17A1223587

Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO₂

SiO₂上の電子照射アモルファスGeにおけるAu誘起横方向結晶化の促進

Author (8)： MOTO Kenta (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  MOTO Kenta (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAKIYAMA Shin (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  OKAMOTO Hayato (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  HARA Hideyuki (Bruker BioSpin K.K., Yokohama, JPN) ,  NISHIMURA Hiroto (Bruker BioSpin K.K., Yokohama, JPN) ,  TAKAKURA Kenichiro (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN) ,  TSUNODA Isao (Kumamoto Coll., Kumamoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 4S  Page： 04EJ06.1-04EJ06.3  Publication year： Apr. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *germanium ,  *membrane and film ,  *electron irradiation ,  *crystallization ,  *gold ,  *silicon dioxide ,  epitaxy ,  voltage ,  growth rate ,  diffusion ,  point defect ,  dependence ,  transverse direction ,  amorphous state
Semi thesaurus term： *amorphous film ,  fluence dependence ,  lateral growth ,  accelerating voltage ,  atomic diffusion

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (31)：

• M. Miyao, E. Murakami, H Etoh, K. Nakagawa, and A. Nishida, J. Cryst. Growth 111, 912 (1991).
• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 89, 192114 (2006).
• K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, IEEE Electron Device Lett 31, 1092 (2010).
• C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1295 (2011).
• I. Tsunoda, K. Nagatomo, A. Kenjo, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and M. Miyao, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 1901 (2004).

Terms in the title (9)： SiO2 ,  電子照射 ,  アモルファス ,  Ge ,  Au ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  促進