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J-GLOBAL ID：201702295462463507   Reference number：17A1221168

Novel current collapse mode induced by source leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors and its impact

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのソースリーク電流による電流コラプスモードとその影響

Author (6)： TSUBOMI Kunihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TSUBOMI Kunihiro (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (JST-ACCEL, Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 8S2  Page： 08PD06.1-08PD06.5  Publication year： Aug. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium nitride ,  *HEMT ,  *leakage current ,  source ,  on resistance ,  capture ,  pinch off ,  *current collapse ,  electron trap ,  Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride
Semi thesaurus term： AlGaN/GaN ,  high electron mobility transistor ,  leakage current

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (31)：

• U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
• M. J. Uren, J. Moreke, and M. Kuball, IEEE Trans. Electron Devices 59, 3327 (2012).
• S. Faramehr, K. Kalna, and P. Igi?, Semicond. Sci. Technol. 29, 025007 (2014).
• K. Horio, K. Yonemoto, H. Talcayanagi, and H. Nakano, J. Appl. Phys. 98, 124502 (2005).
• K. Horio, A. Nakajima, and K. Itagaki, Semicond. Sci. Technol. 24, 085022 (2009).

Terms in the title (6)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ソース ,  リーク電流 ,  電流コラプス