熱電変換素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 加藤隆夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013556145
Patent number：6086071
Application date： Feb. 01, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 STO基板と、前記STO基板上に形成され、ペロブスカイト構造の化合物よりなる薄膜と、前記STO基板上に設けられ、前記薄膜の上面に第1の領域においてコンタクトする第1の電極と、前記薄膜の上面に前記第1の領域から離間した第2の領域においてコンタクトする第2の電極と、前記薄膜を、前記第1の領域において加熱または冷却する第1の加熱または冷却部と、前記薄膜を、前記第2の領域において加熱または冷却する第2の加熱または冷却部と、を含み、前記第2の加熱または冷却部は、前記第1の加熱または冷却部が前記薄膜の前記第1の領域を加熱する場合に前記薄膜の前記第2の領域を冷却し、前記第2の加熱または冷却部は、前記第1の加熱または冷却部が前記薄膜の前記第1の領域を冷却する場合に前記薄膜の前記第2の領域を加熱し、前記薄膜中には、前記ペロブスカイト構造の化合物を構成する結晶中に、前記結晶とは異なる結晶方位の領域が複数形成されており、前記薄膜は(001)面方位のSrTiO3の薄膜であり、前記複数の領域は、(031)面方位を有するドメインであって、前記薄膜は、Nbを25原子%の割合で含むことを特徴とする熱電変換素子。

IPC (6)：

H01L 35/22 ( 200 6.01) , H01L 35/34 ( 200 6.01) , C23C 14/08 ( 200 6.01) , H01L 35/26 ( 200 6.01) , C01G 23/00 ( 200 6.01) , C04B 35/46 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 35/22 , H01L 35/34 , C23C 14/08 K , H01L 35/26 , C01G 23/00 C , C04B 35/46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-006677 Applicant：住友化学株式会社
異方的熱電材料とこれを用いた放射検出器および発電デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-115988 Applicant：パナソニック株式会社
強誘電体薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-039802 Applicant：ティーディーケイ株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Oxide Thermoelectric Materials: A Nanostructuring Approach
Electronic Transport Behavior of Off-Stoichiometric La and Nb Doped SrxTiyO3-δ Epitaxial Thin Films

Cited by examiner (4)

Oxide Thermoelectric Materials: A Nanostructuring Approach
Electronic Transport Behavior of Off-Stoichiometric La and Nb Doped SrxTiyO3-δ Epitaxial Thin Films
Electronic Transport Behavior of Off-Stoichiometric La and Nb Doped SrxTiyO3-δ Epitaxial Thin Films

Show all

Return to Previous Page