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J-GLOBAL ID：201703000960472843

グラファイト積層ダイヤモンド基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor： 稲葉 優文 ,  川原田 洋 ,  関 章憲 ,  櫛田 知義
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (3)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015180891
Publication number (International publication number)：2017057090
Application date： Sep. 14, 2015
Publication date： Mar. 23, 2017
Summary：

【課題】半導体装置に適したグラファイト積層ダイヤモンド基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板11を500°Cに加熱し、この加熱された状態のダイヤモンド基板11の基板表面11aにアルミニウムイオンを照射して、イオン注入する。このイオン注入の後に、基板表面11aに保護層などを形成することなく、ダイヤモンド基板11を1700°Cに加熱し、この1700°Cを2時間維持する。これにより、ダイヤモンド基板11の基板表面11aにグラファイト層12が形成される。グラファイト層12は、基板表面11aに起立した複数のグラフェン12aからなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(100)面または(110)面を基板表面とする単結晶のダイヤモンド基板の前記基板表面に高エネルギー線を照射する照射ステップと、 前記高エネルギー線が照射された前記ダイヤモンド基板を、前記基板表面を露呈させた状態で加熱することによって、前記基板表面に起立した複数のグラフェンからなるグラファイト層を形成する加熱ステップと を有することを特徴とするグラファイト積層ダイヤモンド基板の製造方法。

IPC (8)：

C30B 29/04 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/04 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/167

FI (7)：

C30B29/04 V ,  C30B31/22 ,  C30B33/04 ,  C30B33/02 ,  H01L29/80 B ,  H01L29/16 ,  H01L29/167

F-Term (16)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BA03 ,  4G077FD02 ,  4G077FE17 ,  4G077FH05 ,  4G077FH06 ,  4G077FH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 異方性半導体膜およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-535789   Applicant：カーベンセミコンリミテッド
• 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053959   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭63-045582
  
• 特開昭58-060696
  

Cited by examiner (4)

• 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053959   Applicant：住友電気工業株式会社
• 異方性半導体膜およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-535789   Applicant：カーベンセミコンリミテッド
• 特開昭63-045582
  
• 特開昭58-060696