化合物半導体積層基板及びその製造方法、並びに半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史 , 正木克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015248594
Publication number (International publication number)：2017114694
Application date： Dec. 21, 2015
Publication date： Jun. 29, 2017
Summary：

【課題】化合物半導体積層基板の表裏面の極性面を単一極性として半導体素子の工程設計を容易にするとともに、複雑な基板加工を施すこと無く、結晶中の転位の運動を抑制し、低コストで高性能な半導体素子の製造を可能とする化合物半導体積層基を提供する。【解決手段】A及びBを構成元素として含む同一組成で単結晶の2枚の化合物半導体基板2a、2bが積層された基板であって、その積層基板20の表裏面20f、20rがA又はBの同種の原子からなると共に該原子の未結合手が露出した極性面であり、積層界面2abが積層基板20の表面に平行で、上記積層基板表裏面20f、20rの極性面を構成するA又はBの原子とは異なるB又はAの原子同士が結合した反位相領域境界面であることを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

A及びBを構成元素として含む同一組成で単結晶の2枚の化合物半導体基板が積層された基板であって、その積層基板の表裏面がA又はBの同種の原子からなると共に該原子の未結合手が露出した極性面であり、積層界面が積層基板の表面に平行で、上記積層基板表裏面の極性面を構成するA又はBの原子とは異なるB又はAの原子同士が結合した反位相領域境界面であることを特徴とする化合物半導体積層基板。

IPC (2)：

C30B 33/08 , H01L 21/02

FI (2)：

C30B33/08 , H01L21/02 B

F-Term (16)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE08 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077BE43 , 4G077BE44 , 4G077BE46 , 4G077BE50 , 4G077ED05 , 4G077EE08 , 4G077FD02 , 4G077FF07 , 4G077FF10 , 4G077FJ03 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体積層構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-223847 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-149892 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体ウエハ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-208497 Applicant：三菱電機株式会社

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