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J-GLOBAL ID：200903043941543150

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

Inventor：
妹尾 雅之

About 妹尾 雅之

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001149892
Publication number (International publication number)：2002053399
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：
【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提供する。【構成】 第1の基板上に窒化物半導体が成長された第1のウェーハと、第2の基板上に窒化物半導体が成長された第2のウェーハとを用意し、前記第1と前記第2のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着するようにして接着した後、第1の基板と第2の基板とを除去する。
Claim (excerpt)：
少なくとも2層構造を有する窒化物半導体よりなる基板であって、それら窒化物半導体層のキャリア濃度が互いに異なることを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (42)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077FF07 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC15 ,  4G077TC16 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-037307   Applicant：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
  • 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-219530   Applicant：株式会社日立製作所
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