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J-GLOBAL ID:201703003483045783

熱電変換モジュールの作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015203912
Publication number (International publication number):2017076720
Application date: Oct. 15, 2015
Publication date: Apr. 20, 2017
Summary:
【課題】N、P型を交互に並べる熱電変換モジュールは発電効率がよい反面、モジュールの作製工程が複雑になる。同一型の熱電変換素子からなる熱電変換モジュールは作製が容易だが集積が問題となる。【解決手段】絶縁基板に電極パターンを貼付し、側面を絶縁体に覆われた同一型の熱電変換素子を電極パターン上に配列し、第1の斜め方向から金属蒸着し、次に対向する第2の斜め方向から金属蒸着して各熱電変換素子を直列に接続した同一型の熱電変換素子からなる熱電変換モジュールを得た。【選択図】図1
Claim (excerpt):
その側面が絶縁体に覆われ上面と底面が上部電極と下部電極を構成する柱状の同一導電型の半導体からなる熱電変換素子を絶縁基板にその底面が接するように格子状に配列された熱電変換素子モジュールの直列接続作製方法であって、 主部と足からなる電極パターンを前記絶縁基板の所定の位置に配置し、 前記電極パターンの主部に前記熱電変換素子の下部電極をその底面で接合し、 前記絶縁基板の斜め上方から対向して2回金属を蒸着し、 一の熱電変換素子の下部電極の当該電極パターンの足と次の熱電変換素子の上部電極を、当該足と前記次の熱電変換素子の側面とその間の絶縁基板を覆う前記蒸着した金属で接続し、 前記全ての熱電変換素子を直列に接続したことを特徴とする熱電変換素子モジュールの直列接続作製方法。
IPC (2):
H01L 35/32 ,  H01L 35/34
FI (2):
H01L35/32 A ,  H01L35/34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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