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J-GLOBAL ID：201703005756357549

スピントロニクスデバイス

Inventor： 安藤 和也 ,  齊藤 英治
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012231849
Publication number (International publication number)：2014086448
Patent number：6143051
Application date： Oct. 19, 2012
Publication date： May. 12, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 エネルギーの供給により純スピン流或いはスピン波スピン流を発生するスピン流発生部材層と、 前記スピン流発生部材層に接合し、スピン流を電流に変換する或いは電流をスピン流に変換するスピン流-電流相互変換部材層と、 前記スピン流-電流相互変換部材層に設けられ、前記電流の流れる方向の上流側と下流側に設けられた一対の電極と を有し、 前記スピン流-電流相互変換部材層が、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より低い異方導電性を有し、 前記異方導電性を有するスピン流-電流相互変換部材層が、導電性ポリマー、有機自己組織化膜、有機電荷移動錯体伝導体、層状遷移金属酸化物、或いは、3次元トポロジカル絶縁体のいずれかからなるスピントロニクスデバイス。

IPC (6)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 37/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 37/00 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 G ,  H01L 29/28 220 B ,  H01L 29/28 220 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-148556   Applicant：学校法人慶應義塾
• スピントランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-281043   Applicant：株式会社東芝