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J-GLOBAL ID：201703008925299161

光電変換装置

Inventor：
太田 優一

About 太田 優一


Applicant, Patent owner：
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター

About 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター


Agent (1)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015120886
Publication number (International publication number)：2017005223
Application date： Jun. 16, 2015
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：
【課題】BNの物性を明らかにし、光電変換装置として利用する。【解決手段】4eV以上バンドギャップを有する半導体を有する光電変換装置であって、上記半導体は、3d遷移金属を含有し、価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位が形成されている。上記半導体は、ByX1-yN(0≦y≦1)で表され、3d遷移金属は、上記半導体のBの一部と置換されている。また、上記3d遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびCuからなる群から選択された少なくとも1種である。例えば、立方晶系の結晶構造のBN(c-BN)のBサイトに、Niを導入した半導体が有用であり、価電子帯と伝導帯との間に中間準位が形成されている。【選択図】図19
Claim (excerpt)：
4eV以上バンドギャップを有する半導体を有する光電変換装置であって、 前記半導体は、3d遷移金属を含有し、価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位が形成されている、光電変換装置。
IPC (2)：
H01L 31/075 ,  C01B 21/064
FI (2)：
H01L31/06 500 ,  C01B21/064 J
F-Term (5)：
5F151AA08 ,  5F151CB15 ,  5F151CB18 ,  5F151DA04 ,  5F151GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 光電変換素子および光電変換方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-230277   Applicant：京セラ株式会社
  • エネルギー変換装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-538604   Applicant：クイック,ナサニエル,アール., ユニバーシティオブセントラルフロリダ
Cited by examiner (2)
  • 光電変換素子および光電変換方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-230277   Applicant：京セラ株式会社
  • エネルギー変換装置
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-538604   Applicant：クイック,ナサニエル,アール., ユニバーシティオブセントラルフロリダ

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