ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015174571
Publication number (International publication number)：2017050485
Application date： Sep. 04, 2015
Publication date： Mar. 09, 2017
Summary：

【課題】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルMISFETを得るための製造方法上の条件を明らかにする。【解決手段】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルMISFETはいくつか知られていたが、ノーマリーオフ化するために必要な条件は不明であった。本発明では、ゲート酸化物を複数層構成とした上で、160°Cから350°Cの範囲という比較的低温でアニールすることで、通常はノーマリーオン動作するこの種のMISFETがノーマリーオフ化することを見出した。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

複数層構造のゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法において、前記ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で160°Cから350°Cの範囲でアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L21/316 M , H01L21/316 X

F-Term (22)：

5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F140BA04 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BF05 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-047025 Applicant：学校法人早稲田大学
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-035398 Applicant：日本電信電話株式会社
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-333174 Applicant：日本電信電話株式会社

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