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J-GLOBAL ID：201503040053556110

ダイヤモンドの基板にMOS積層体を製造する方法

Inventor： チコット,ゴーティエ ,  マレシャル,オーレリアン ,  ミュレ,ピエール ,  ペルノ,ジュリアン
Applicant, Patent owner： セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ,  ユニヴェルシテ ジョセフ フーリエ
Agent (2)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014548159
Publication number (International publication number)：2015508569
Application date： Dec. 20, 2012
Publication date： Mar. 19, 2015
Summary：

【解決手段】本発明は、絶縁領域(7) によって単結晶ダイヤモンドの半導体基板(2) から絶縁された導電性のゲート(9) を備えた構成要素を製造する方法であって、半導体基板の水素表面終端を酸素表面終端に置換するように半導体基板(2) の表面を酸化させるステップa)と、半導体基板(2) の表面に原子層堆積法(ALD )の繰り返しによって絶縁領域(7) を形成するステップb)とを有する方法に関する。

Claim (excerpt)：

絶縁領域(7) によって単結晶ダイヤモンドの半導体基板(2) から絶縁された導電性のゲート(9) を備えた構成要素を製造する方法であって、 前記半導体基板(2) の表面を酸化させて、前記半導体基板の水素表面終端を酸素表面終端に置換するステップa)、及び、 前記半導体基板(2) の表面に原子層堆積法(ALD )によって絶縁領域(7) を形成するステップb) を有することを特徴とする方法。

IPC (7)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/316

FI (7)：

H01L29/78 301B ,  C30B29/04 E ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C01B31/06 Z ,  H01L21/316 A ,  H01L21/316 X

F-Term (48)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ06 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA04 ,  4G146AB05 ,  4G146AC19B ,  4G146AD30 ,  4G146CB14 ,  4G146CB16 ,  4G146CB22 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA40 ,  5F140AC39 ,  5F140BA04 ,  5F140BA16 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-237065   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 単結晶ダイヤモンド・エアギャップ構造体及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-035602   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 熱電子発電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-281369   Applicant：株式会社デンソー
• pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-082986   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 高温動作ダイヤモンドトランジスタ装置及びこれを用いた温度計、増幅器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-055565   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-265854   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment