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J-GLOBAL ID：201703011814869997

プラズマCVD装置及びダイヤモンドの成長方法

Inventor： 徳田 規夫 ,  猪熊 孝夫 ,  馬場 一気 ,  渡邊 俊介 ,  金田 大輝 ,  有屋田 修
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学 ,  アリオス株式会社
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016046329
Publication number (International publication number)：2017160087
Application date： Mar. 09, 2016
Publication date： Sep. 14, 2017
Summary：

【課題】ダイヤモンドのさらなる高速成長を可能にするプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板30が載置される基板ホルダ20を備え、基板ホルダ20に対して、直接、マイクロ波を給電することで発生するプラズマによるCVD(化学気相堆積法)によってダイヤモンド基板30上にダイヤモンドを成長させる装置であって、基板ホルダ20は、ダイヤモンド基板30の上面30aが基板ホルダ20の上面22よりも上方に位置することとなる箇所に、ダイヤモンド基板30が載置される載置面24aを有する。【選択図】図2B

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板が載置される基板ホルダを備え、前記基板ホルダに対して、直接、マイクロ波を給電することで発生するプラズマによるCVD(化学気相堆積法)によって前記ダイヤモンド基板上にダイヤモンドを成長させるプラズマCVD装置であって、 前記基板ホルダは、前記ダイヤモンド基板の上面が前記基板ホルダの上面よりも上方に位置することとなる箇所に、前記ダイヤモンド基板が載置される載置面を有する プラズマCVD装置。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/12 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/511 ,  C01B 32/26

FI (6)：

C30B29/04 S ,  C30B25/12 ,  C23C16/27 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C01B31/06 A

F-Term (45)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EG03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AD21 ,  4G146AD28 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC45 ,  4G146DA16 ,  4G146DA47 ,  4G146DA50 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030LA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EH01 ,  5F045EM02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンド合成用CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-266462   Applicant：アリオス株式会社
• ダイヤモンド製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-012175   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所