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J-GLOBAL ID：200903050514543669

ダイヤモンド製造方法

Inventor： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  堀野 裕治 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006012175
Publication number (International publication number)：2007191362
Application date： Jan. 20, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】マイクロ波プラズマCVD法によってダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状(モフォロジー)を簡単に制御できる方法を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成され、凹部の深さがダイヤモンド基板の厚さと同一又はダイヤモンド基板の厚さ以下である支持体を用い、 該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法、並びに、使用するダイヤモンド基板の形状に応じて形成された基板載置部を有する基板支持体。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成されている支持体を用い、 該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27

FI (2)：

C30B29/04 E ,  C23C16/27

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EH01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA02 ,  4K030JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-081782   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• ダイヤモンド製造用装置及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-542679   Applicant：カーネギーインスチチューションオブワシントン, ザユーエイビーリサーチファンデーション
• ダイヤモンド装置及び多結晶ダイヤモンド層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-138479   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Cited by examiner (3)

• マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-081782   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開平4-354119
  
• エピタキシャルウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-054986   Applicant：信越半導体株式会社