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J-GLOBAL ID：200903025743180605

ダイヤモンド合成用CVD装置

Inventor：
有屋田 修

About 有屋田 修

, 
佐藤 進

About 佐藤 進

, 
鈴木 浩明

About 鈴木 浩明


Applicant, Patent owner：
アリオス株式会社

About アリオス株式会社


Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004266462
Publication number (International publication number)：2006083405
Application date： Sep. 14, 2004
Publication date： Mar. 30, 2006
Summary：
【課題】 基板近傍だけでプラズマを効率的に発生させるとともに、不純物混入の防止、装置の小型化、消費電力の低減を実現して、半導体デバイス製作に必要な単結晶ダイヤモンドの合成に適したダイヤモンド合成用CVD装置を提供する。【解決手段】 放電室10を球状に形成し、この内面11を鏡面仕上げとする。放電室10の半径は、導入されるマイクロ波の波長の3/4の長さとする。そして、胴部が絶縁部材(石英)で囲まれた同軸アンテナ21の先端には基板ホルダ30が載せられ、さらにその上に処理対象物Aが載せられる。この基板ホルダ30あるいは処理対象物Aは、放電室10の中心に位置する。同軸構造20の底部は真空シール部40で完全メタルシールされている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理対象物の表面にダイヤモンドの薄膜を形成するダイヤモンド合成用CVD装置であって、 球状に形成された放電室と、 この放電室の内部へマイクロ波を供給する同軸アンテナと、 この同軸アンテナの先端に設けられた載置部材とを備え、 この載置部材又はこの載置部材上に置かれた前記処理対象物が、前記放電室の中心に位置する ことを特徴とするダイヤモンド合成用CVD装置。
IPC (4)：
C23C 16/511 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (4)：
C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 B
F-Term (17)：
4K030FA01 ,  4K030KA01 ,  4K030KA15 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD14 ,  5F045AE05 ,  5F045AF02 ,  5F045BB10 ,  5F045CA09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EM01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
  • 特開平4-136179
  • 特開平2-226721
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-072588   Applicant：松下電器産業株式会社
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