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J-GLOBAL ID：201703012026907450

高電圧電力用半導体装置

Inventor： 大村 一郎 ,  瀬戸 康太 ,  附田 正則
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州工業大学
Agent (2)： 加藤 久 ,  久保山 隆
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012123461
Publication number (International publication number)：2013251338
Patent number：6153151
Application date： May. 30, 2012
Publication date： Dec. 12, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1の第1導電型半導体層と、 前記第1の第1導電型半導体層の一方の面に選択的に形成された第1の第2導電型層と、 前記第1の第1導電型半導体層の他方の面に形成された第2の第1導電型層と、 前記第1の第2導電型層に接して前記第1の第1導電型半導体層に形成されたトレンチと、 前記トレンチ内に充填された絶縁体と、 前記トレンチにおける前記第1の第2導電型層側の側壁ならびに底部に形成された第2の第2導電型層と、 前記第2の第2導電型層と離隔し、前記トレンチにおける底部であって、前記第2の第2導電型層が形成された前記トレンチの側壁と前記絶縁体を挟んで対向する側壁側の底部のみに接して形成された第3の第1導電型層と を有する高電圧電力用半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/06 301 S ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/91 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-137539   Applicant：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-365233   Applicant：トヨタ自動車株式会社