炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010137539
Publication number (International publication number)：2012004312
Application date： Jun. 16, 2010
Publication date： Jan. 05, 2012
Summary：

【課題】リサーフ層もしくはEQR構造を構成するための不純物層の形成工程を簡略化することで、製造工程の簡略化を図る。【解決手段】SiCのマイグレーションによってp型リサーフ層21のうち凹部20の下方に位置するn-型ドリフト層2の表層部と、p型リサーフ層21のうちp型ベース領域3の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。これにより、凹部20の側壁が急峻であったとしても、斜めイオン注入を行うことなく、p型ベース領域3に対してp型リサーフ層21を接続することができる。したがって、p型リサーフ層21の形成工程を簡略化することが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板(1)の主表面上に第1導電型のドリフト層(2)と第2導電型のベース領域(3)が順に形成されてなる半導体基板を用いて形成され、半導体素子が形成されたセル領域と、該セル領域を囲む外周耐圧構造が形成された外周領域とを有し、前記外周耐圧構造として、前記ベース領域(3)よりも深く、かつ、前記セル領域を囲んで形成された凹部(20)にて構成されたメサ構造と、前記ベース領域(3)の表層部から前記凹部(20)における前記セル領域側となる内周側の側壁を介して前記凹部(20)の下方に位置する前記ドリフト層(2)の表層部に至る第2導電型のリサーフ層(21)が形成されてなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記凹部(20)の形成予定位置が開口するマスク材(30)を配置する工程と、前記マスク材(30)をマスクとしてエッチングを行うことで前記凹部(20)を形成する工程と、前記マスク材(30)を除去する工程と、前記半導体基板に対して基板法線方向から第2導電型不純物をイオン注入することで、前記リサーフ層(21)のうち、前記ベース領域(3)の表層部に形成される部分を形成する工程と、前記半導体基板に対して基板法線方向から第2導電型不純物をイオン注入することで、前記リサーフ層(21)のうち、前記凹部(20)の下方に位置する前記ドリフト層(2)の表層部に形成される部分を形成する工程と、炭化珪素のマイグレーションが生じる温度で熱処理を行い、前記凹部(20)の内周側の前記側壁において、前記リサーフ層(21)のうち前記ベース領域(3)の表層部に形成された部分を流動させることで、前記リサーフ層(21)のうち前記凹部(20)の内周側の前記側壁に形成される部分を形成し、該リサーフ層(21)のうち前記ベース領域(3)の表層部に形成された部分と前記凹部(20)の下方に位置する前記ドリフト層(2)の表層部に形成された部分とを接続して当該リサーフ層(21)を完成させる工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/739

FI (9)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/78 658B , H01L29/78 658G , H01L29/78 653A , H01L29/78 655F , H01L29/78 652E , H01L29/06 301G , H01L29/06 301M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-323514 Applicant：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-151370 Applicant：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-334104 Applicant：株式会社デンソー

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