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J-GLOBAL ID：200903070415802815

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

Inventor：
高谷 秀史

About 高谷 秀史


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (1)： 特許業務法人コスモス特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005365233
Publication number (International publication number)：2007173319
Application date： Dec. 19, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】メインセル領域の高耐圧化を図るとともに,終端領域の高耐圧化が図られた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,上面側から順に,N+ ソース領域31,P- ボディ領域41,N- ドリフト領域12,N+ ドレイン領域11を有している。また,P- ボディ領域41を貫通するゲートトレンチ21,終端トレンチ62が形成されている。各トレンチの底部はPフローティング領域51,53に囲まれている。ゲートトレンチ21は,ゲート電極22を内蔵している。終端トレンチ62の最内のトレンチ621は,ゲート電極22と電気的に接続された終端ゲート領域72を内蔵している。終端ゲート領域72の深さは,ゲートトレンチ21内のゲート電極22の深さ(P- ボディ領域41の深さと同等)と比較して浅い。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 前記ボディ領域を半導体基板の厚さ方向に貫通するとともにセル領域内に位置し,ゲート電極を内蔵する複数のトレンチ部によってなる第1トレンチ部群と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第1トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第1フローティング領域と, セル領域を取り囲む終端領域内に位置し,半導体基板の上面から見てセル領域を取り囲んで環状をなす複数のトレンチ部によってなる第2トレンチ部群と, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに前記第2トレンチ部群のうちの少なくとも1つのトレンチ部の底部を包囲し,第1導電型半導体である第2フローティング領域と, 前記第2トレンチ部群のうちの少なくとも最内に位置するトレンチ部内に内蔵され,前記ゲート電極と電気的に接続された導体領域とを有し, 前記導体領域の下端は,前記ボディ領域の下面よりも上方に位置していることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652S
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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