イプシロン酸化鉄とその製造方法、磁性塗料および磁気記録媒体

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：阿仁屋節雄 , 奥山知洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016116784
Publication number (International publication number)：2017001944
Application date： Jun. 13, 2016
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：

【課題】10〜18nmの平均粒径を有し、鉄元素の一部が置換元素で置換された、保磁力が14kOe以下のイプシロン酸化鉄であって、当該粒径の変動係数が40%以下であるイプシロン酸化鉄と、その製造方法を提供する。【解決手段】酸化水酸化鉄へ置換元素である金属を被着させ、前記金属が被着した酸化水酸化鉄を得る工程と、前記金属が被着した酸化水酸化鉄を、シリコン酸化物でコーティングし、前記シリコン酸化物でコーティングされた酸化水酸化鉄を得る工程と、前記シリコン酸化物でコーティングされた酸化水酸化鉄を酸化性雰囲気下で熱処理する工程とを有し、鉄元素の一部が前記置換元素で置換されたイプシロン酸化鉄を製造することを特徴とするイプシロン酸化鉄の製造方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化水酸化鉄へ置換元素である金属化合物を被着させ、前記金属化合物が被着した酸化水酸化鉄を得る工程と、前記金属化合物が被着した酸化水酸化鉄を、シリコン酸化物でコーティングし、前記シリコン酸化物でコーティングされた酸化水酸化鉄を得る工程と、前記シリコン酸化物でコーティングされた酸化水酸化鉄を酸化性雰囲気下で熱処理する工程とを有し、鉄元素の一部が前記置換元素で置換されたイプシロン酸化鉄を製造することを特徴とするイプシロン酸化鉄の製造方法。

IPC (9)：

C01G 49/00 , C09D 5/00 , C09D 7/12 , C09D 201/00 , G11B 5/706 , G11B 5/712 , G11B 5/714 , G11B 5/84 , C01G 51/00

FI (10)：

C01G49/00 A , C09D5/00 Z , C09D7/12 , C09D201/00 , G11B5/706 , G11B5/712 , G11B5/714 , G11B5/84 Z , C01G51/00 B , C01G49/00 E

F-Term (24)：

4G002AA06 , 4G002AB02 , 4G002AE02 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC03 , 4G048AD04 , 4G048AE05 , 4G048AE06 , 4G048AE07 , 4J038CD021 , 4J038KA06 , 4J038NA17 , 4J038PB11 , 5D006BA06 , 5D006BA07 , 5D006BA08 , 5D006EA01 , 5D112AA05 , 5D112AA22 , 5D112BB04 , 5D112BB06 , 5D112BB12 , 5D112GB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁性材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-096907 Applicant：国立大学法人東京大学, DOWAエレクトロニクス株式会社
磁性材料並びにそれを用いたメモリーおよびセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-224954 Applicant：国立大学法人東京大学, DOWAエレクトロニクス株式会社
磁性材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-234958 Applicant：国立大学法人東京大学, DOWAエレクトロニクス株式会社

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Cited by examiner (2)

ε-Fe2O3結晶の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-007518 Applicant：国立大学法人東京大学, DOWAエレクトロニクス株式会社
電波吸収材料および当該電波吸収材料を用いた電波吸収体、並びに電磁波吸収率測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-064939 Applicant：国立大学法人東京大学, DOWAエレクトロニクス株式会社

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