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J-GLOBAL ID：201703017131460714
ショットキーバリアダイオードおよびそれを用いた電子装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013086264
Publication number (International publication number)：2014212151
Patent number：6146104
Application date： Apr. 17, 2013
Publication date： Nov. 13, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 基板と、
前記基板の一主面上に形成されたIII-V族化合物半導体層と、
前記III-V族化合物半導体層上に形成され、前記III-V族化合物半導体層との第1の接合部にショットキー接合が形成された第1の電極と、
前記III-V族化合物半導体層上に形成され、前記III-V族化合物半導体層との第2の接合部に、オーミック接合、または接合界面の障壁の高さが前記ショットキー接合のショットキー障壁より低い第2のエネルギー障壁を有する非オーミック接合、が形成された第2の電極と、
前記III-V族化合物半導体層に接続されたカソード電極と、
を備え、
前記第1の電極および前記第2の電極は、同一のアノード電極を構成し、
前記第1の接合部は、前記第2の接合部と前記カソード電極との間に形成され、
前記III-V族化合物半導体層は、GaN系半導体層と、前記GaN系半導体層上に形成されたAlGaN系半導体層とを含み、
(1)前記GaN系半導体層に達する前記AlGaN系半導体層の溝の内部において、前記第1の電極もしくは前記第2の電極が前記GaN系半導体層上に形成され、または、(2)前記基板に達する前記GaN系半導体層の溝の内部において、前記AlGaN系半導体層が前記溝の内面上および前記基板上に形成されるとともに前記第1の電極が前記AlGaN系半導体層上に形成された
ことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (2)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
Cited by applicant (3)
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窒化物半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-004261
Applicant：シャープ株式会社
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窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2010-223173
Applicant：株式会社東芝
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整流器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-289626
Applicant：シャープ株式会社
Cited by examiner (3)
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窒化物半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-004261
Applicant：シャープ株式会社
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窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2010-223173
Applicant：株式会社東芝
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整流器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-289626
Applicant：シャープ株式会社
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